1 mar 2009 año - Intel Xeon (ядро Gainestown)

Descripción:

Процессоры основывались на микроархитектуре Nehalem, производились по технологии – 45 нм, и содержали три уровня КЭШ-памяти, (КЭШ-память второго уровня – по 256 Кб для каждого ядра, и КЭШ-память третьего уровня – 4 Мб или 8 Мб). Устанавливались в разъем LGA 1366. Тактовая частота изменялась от 1,87 до 3,33 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина QPI. Рабочее напряжение составляло 0,75-1,35 В. Расчетная потребляемая мощность изменялась от 38 до 130 Вт.

Añadido al timeline:

21 ene 2018

0

0

306

Хронология ЦП Intel

fecha:

Fotos: