1 mars 2009 - Intel Xeon (ядро Gainestown)
Description:
Процессоры основывались на микроархитектуре Nehalem, производились по технологии – 45 нм, и содержали три уровня КЭШ-памяти, (КЭШ-память второго уровня – по 256 Кб для каждого ядра, и КЭШ-память третьего уровня – 4 Мб или 8 Мб). Устанавливались в разъем LGA 1366. Тактовая частота изменялась от 1,87 до 3,33 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина QPI. Рабочее напряжение составляло 0,75-1,35 В. Расчетная потребляемая мощность изменялась от 38 до 130 Вт.
Ajouté au bande de temps:
Хронология ЦП Intel
Date:
Les images:
![]()
