Segunda generación Transistores (30 dic 1952 año – 17 oct 1965 año)
Descripción:
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco Corporation en 1953 .Consta de tres partes dopadas artificialmente, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,Añadido al timeline:
fecha:
30 dic 1952 año
17 oct 1965 año
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