28 ene 1984 año - MEMORIA FLASH
Descripción:
Fujio Masuoka quien inventó este tipo de memoria como evolución de las EEPROM existentes por aquel entonces.•Permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación.
•No son volátiles y se pueden sobreescribir y borrar.
•Velocidad muy superior a las memorias antecesoras, EEPROM.
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fecha:
28 ene 1984 año
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