29
/fr/
fr
AIzaSyAYiBZKx7MnpbEhh9jyipgxe19OcubqV5w
April 1, 2024
640535
53475
2

12 janv. 2004 - Создан полевой транзистор на углеродной нанотрубке: Infineon.

Description:

полупроводниковый прибор, работа которого основана на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они входят, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором.

Ajouté au bande de temps:

6 déc. 2018
0
0
1219
Хронология развития вычислительной техники

Date:

12 janv. 2004
Maintenaint
~ Il y a 20 ans
PremiumAbout & FeedbackUn accordConfidentialité
logo
© 2022 Selected Technologies LLC – Morgan Hill, California